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16.1 Sperrschicht- Feldeffekttransistoren










            Der Widerstand in der Halbleiterstrecke wird durch ein elektrisches

                Feld geändert


            Dieses Beeinflusst den Leiterquerschnitt und damit den fließenden


                Laststrom


            Diese Kanäle unterscheiden in p-Kanal und n-Kanal Transistoren


            Anschlüsse: Drain und Source sowie Gate


                                                                                                         12
            Durch den Eingangswiderstand von bis zu 10 Ω wird eine fast
                Leistungslose Steuerung ermöglicht





















           28.12.2023                                             Dipl.-Ing.-Päd. U. Kraus                                                        97
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